onsemi Transistor bipolari con gate isolato (IGBT) a trincea FGHL75T65LQDT
I transistor bipolari con gate isolato (IGBT) a trincea FGHL75T65LQDT onsemi offrono un'elevata capacità di corrente e funzionano a una temperatura massima di 175°C. Questi IGBT sono caratterizzati da una commutazione fluida e ottimizzata e da una stretta distribuzione dei parametri. Gli IGBT con arresto di campo FGHL75T65LQDT sono coimbentati con un diodo a recupero rapido e morbido e sono conformi alla normativa RoHS. Le applicazioni comprendono inverter solari, UPS, ESS, PFC e convertitori.
Caratteristiche
- Temperatura di giunzione massima TJ
- Coefficiente di temperatura positivo per un facile funzionamento in parallelo
- Capacità di alta corrente
- Tensione di saturazione bassa
- VCE(sat) = 1,15 V (tipico) a IC = 75 A
- Il 100% dei componenti è testato per l'ILM
- Commutazione fluida e ottimizzata
- Distribuzione dei parametri ridotta
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Invertitori solari
- UPS e ESS
- Convertitori e PFC
Schede tecniche
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Pubblicato: 2022-04-10
| Aggiornato: 2022-11-13