IGBT a trincea FGHL75T65MQDTx

Gli IGBT a trincea FGHL75T65MQDTx di onsemi sono una tecnologia IGBT a media velocità di 4a generazione, con diodo a corrente nominale completa. Gli IGBT FGHL75T65MQDTx funzionano con una temperatura di giunzione massima di 175°C, una tensione collettore-emettitore di 650V e una corrente di collettore di 75A. Questi IGBT sono caratterizzati da un coefficiente di temperatura positivo per un facile funzionamento in parallelo, da un'elevata capacità di corrente, da una commutazione fluida e ottimizzata e da una stretta distribuzione dei parametri. Il FGHL75T65MQDT è integrato in un package TO247-3L, mentre l'IGBT FGHL75T65MQDTL4 in un package TO247-4L. Questi IGBT sono ideali per applicazioni in inverter solari, UPS, ESS, PFC e convertitori.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Package/involucro Stile di montaggio Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Tensione gate-emettitore massima Collettore a corrente continua a 25 °C Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode 432A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode 103A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube