Transistor bipolari con gate isolato (IGBT) a trincea FGHL75T65LQDT

I transistor bipolari con gate isolato (IGBT) a trincea FGHL75T65LQDT onsemi offrono un'elevata capacità di corrente e funzionano a una temperatura massima di 175°C. Questi IGBT sono caratterizzati da una commutazione fluida e ottimizzata e da una stretta distribuzione dei parametri. Gli IGBT con arresto di campo FGHL75T65LQDT sono coimbentati con un diodo a recupero rapido e morbido e sono conformi alla normativa RoHS. Le applicazioni comprendono inverter solari, UPS, ESS, PFC e convertitori.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
Scheda dati
330A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
Scheda dati
410A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube