FGH4L40Tx 1200V/40A IGBT di potenza con Field Stop

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) Field Stop Power da 1200 V/40 A FGH4L40Tx di   onsemi sono progettati per garantire una commutazione ad alta efficienza in applicazioni di potenza particolarmente esigenti. Questi IGBT presentano basse perdite di conduzione e commutazione, ideali per l'uso in azionamenti motore, sistemi di alimentazione elettrica ininterrotta (UPS) e inverter per energie rinnovabili. Grazie alla robusta capacità di cortocircuito e alle prestazioni di commutazione morbida, gli IGBT supportano il funzionamento ad alta frequenza mantenendo la stabilità termica. Il design ottimizzato degli IGBT FGH4L40Tx basati sulla tecnologia Field Stop di onsemi consente prestazioni affidabili sia nelle topologie di commutazione hard che soft, aiutando i progettisti a soddisfare i rigorosi requisiti di efficienza e densità di potenza nei sistemi industriali e incentrati sull'energia.