Nexperia Transistor bipolari BJT e MJD
I transistor bipolari BJT e MJD di Nexperia offrono elevate prestazioni termiche ed elettriche. La famiglia di transistor bipolari di alta qualità e alta affidabilità (certificati AEC-Q101) e di consumo/industriale certificati MJD da 2 A a 8 A include diciassette parti nelle versioni NPN e PNP da 45 V a 100 V. Questi ben noti dispositivi con ingombro standard del settore integrano il portafoglio esistente di transistor di potenza bipolari ad alte prestazioni di Nexperia’ in LFPAK e ampliano ulteriormente l'offerta totale di alimentazione discreta bipolare dell’azienda. Le applicazioni includono illuminazione per il settore automobilistico a LED, dimming della retroilluminazione negli schermi LCD, regolatori di tensione lineari, sostituzione relè, unità motore, stampanti laser e driver MOSFET.Caratteristiche
- Alta capacità di dissipazione della potenza termica
- Alta efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore
- Elettricamente simile alla popolare serie MJD31
- Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore
- Velocità di commutazione elevate
- Conforme alle qualifiche AEC-Q101
Applicazioni
- Sistemi di illuminazione per il settore automobilistico a LED
- Dimming della retroilluminazione negli schermi LCD
- Regolatore di tensione lineare
- Sostituzione relè
- Unità di azionamento motore
- Stampante laser
- Driver MOSFET
Risorse aggiuntive
- I transistor di potenza bipolari, In DPAK e LFPAK , garantiscono la migliore vestibilità per i circuiti di alimentazione
- Transistor bipolari MJD fino a 8 A con ampio portafoglio di potenza Nexperia
- I nuovi transistor di giunzione bipolari di Nexperia in package DPAK-offrono prestazioni ad alta affidabilità per applicazioni automobilistiche e industriali
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Pubblicato: 2022-03-01
| Aggiornato: 2023-04-12
