Nexperia Transistor bipolari BJT e MJD

I transistor bipolari BJT e MJD di Nexperia offrono elevate prestazioni termiche ed elettriche. La famiglia di transistor bipolari di alta qualità e alta affidabilità (certificati AEC-Q101) e di consumo/industriale certificati MJD da 2 A a 8 A include diciassette parti nelle versioni NPN e PNP da 45 V a 100 V. Questi ben noti dispositivi con ingombro standard del settore integrano il portafoglio esistente di transistor di potenza bipolari ad alte prestazioni di Nexperia’ in LFPAK e ampliano ulteriormente l'offerta totale di alimentazione discreta bipolare dell’azienda. Le applicazioni includono illuminazione per il settore automobilistico a LED, dimming della retroilluminazione negli schermi LCD, regolatori di tensione lineari, sostituzione relè, unità motore, stampanti laser e driver MOSFET.

Caratteristiche

  • Alta capacità di dissipazione della potenza termica
  • Alta efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore
  • Elettricamente simile alla popolare serie MJD31
  • Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore
  • Velocità di commutazione elevate
  • Conforme alle qualifiche AEC-Q101

Applicazioni

  • Sistemi di illuminazione per il settore automobilistico a LED
  • Dimming della retroilluminazione negli schermi LCD
  • Regolatore di tensione lineare
  • Sostituzione relè
  • Unità di azionamento motore
  • Stampante laser
  • Driver MOSFET

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Pubblicato: 2022-03-01 | Aggiornato: 2023-04-12