MJD44H11A & MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors

Nexperia MJD44H11A and MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The MJD44H11A and MJD45H11A are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Corrente CC massima collettore Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione emettitore-base VEBO Tensione di saturazione collettore-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Prodotto guadagno-larghezza di banda fT Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 54A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 15.000
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 155A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 155
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT 1.632A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.632
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel