MJD31C & MJD32C 100V 3A Bipolar Transistors

Nexperia MJD31C and MJD32C 100V 3A Bipolar Junction Transistors (BJT) offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD31C and MJD32C are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Corrente CC massima collettore
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Scheda dati
Commenti sul prodotto
209A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 209
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Scheda dati
Commenti sul prodotto
1.836A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.836
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Scheda dati
Commenti sul prodotto
1.388A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.388
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel