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MJD2873J

Name: Nexperia MJD2873J
Brand: Nexperia
SKU: 771-MJD2873J
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

771-MJD2873J

N. produttore:

MJD2873J

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT

Scheda dati:

MJD2873J Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Confezione:

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,722 €	0,72 €
	0,44 €	4,40 €
	0,348 €	17,40 €
	0,288 €	28,80 €
	0,219 €	219,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,194 €	485,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	NPN
Configurazione:	Single
Corrente CC massima collettore:	2 A
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	50 V
Tensione emettitore-base VEBO:	6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	300 mV
Pd - Dissipazione di potenza:	15 W
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:	65 MHz
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Nexperia
Corrente continua collettore:	2 A
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	120 at 0.5 A, 2 V
Guadagno in corrente CC hFE max:	360 at 0.5 A, 2 V
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	934662266118

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MJD2873J Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Transistor bipolari ad alta potenza da 50V 2 A NPN MJD2873

I transistor bipolari ad alta potenza da 50 V 2A NPN MJD2873 di Nexperia sono disponibili in un package in plastica con dispositivo a montaggio superficiale (SMD) DPAK, TO-252 (SOT428C). Questi dispositivi hanno un'elevata capacità di dissipazione di potenza termica e un'elevata efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore. Il Nexperia MJD2873 ha una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore e ha velocità di commutazione elevate. Le applicazioni tipiche di questi dispositivi sono la gestione dell'alimentazione, l'interruttore di carico, il regolatore di tensione di modalità lineare, la retroilluminazione dell'unità di corrente costante, le unità motore e la sostituzione del relè. Il transistor bipolare MJD2873-Q è qualificato AEC-Q101.

Transistor bipolari BJT e MJD

I transistor bipolari BJT e MJD di Nexperia offrono elevate prestazioni termiche ed elettriche. La famiglia di transistor bipolari di alta qualità e alta affidabilità (certificati AEC-Q101) e di consumo/industriale certificati MJD da 2 A a 8 A include diciassette parti nelle versioni NPN e PNP da 45 V a 100 V. Questi ben noti dispositivi con ingombro standard del settore integrano il portafoglio esistente di transistor di potenza bipolari ad alte prestazioni di Nexperia’ in LFPAK e ampliano ulteriormente l'offerta totale di alimentazione discreta bipolare dell’azienda. Le applicazioni includono illuminazione per il settore automobilistico a LED, dimming della retroilluminazione negli schermi LCD, regolatori di tensione lineari, sostituzione relè, unità motore, stampanti laser e driver MOSFET.