Transistor bipolari ad alta potenza da 50V 2 A NPN MJD2873

I transistor bipolari ad alta potenza da 50 V 2A NPN MJD2873 di Nexperia sono disponibili in un package in plastica con dispositivo a montaggio superficiale (SMD) DPAK, TO-252 (SOT428C). Questi dispositivi hanno un'elevata capacità di dissipazione di potenza termica e un'elevata efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore. Il Nexperia MJD2873 ha una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore e ha velocità di commutazione elevate. Le applicazioni tipiche di questi dispositivi sono la gestione dell'alimentazione, l'interruttore di carico, il regolatore di tensione di modalità lineare, la retroilluminazione dell'unità di corrente costante, le unità motore e la sostituzione del relè. Il transistor bipolare MJD2873-Q è qualificato AEC-Q101.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Corrente CC massima collettore Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione emettitore-base VEBO Tensione di saturazione collettore-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Prodotto guadagno-larghezza di banda fT Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Qualifica Confezione
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT 3.545A magazzino
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2 A 50 V 6 V 300 mV 15 W 65 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 50 V 6 V 300 mV 1.6 W 65 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel