Infineon Technologies Transistori G3 CoolGaN™
I transistori G3 CoolGaN™ di Infineon Technologies sono progettati per fornire prestazioni superiori in applicazioni che richiedono elevata densità di potenza. Questi transistori presentano una resistenza in stato attivo molto bassa, consentendo una conversione di potenza efficiente e perdite di energia ridotte. Disponibili in quattro opzioni di tensione (60 V, 80 V, 100 V o 120 V), i transistori CoolGaN G3 di Infineon offrono una commutazione ultraveloce con una carica gate/uscita estremamente bassa. I transistori sono alloggiati in compatti pacchetti PQFN, che migliorano la gestione termica e supportano il raffreddamento su entrambi i lati, garantendo un funzionamento affidabile anche in condizioni impegnative. Queste caratteristiche rendono i transistori CoolGaN G3 la scelta migliore per applicazioni come le telecomunicazioni, gli alimentatori per data center e i sistemi di alimentazione industriale.
Caratteristiche
- Commutazione ultrarapida e alta efficienza
- Package salvaspazio e molto robusto
- Nessuna carica di recupero inverso
- Carica di gate e uscita estremamente bassa
- Il die esposto garantisce eccellenti caratteristiche termiche sul lato superiore
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
- Package PG‑TSON‑6 da 3 mm x 5 mm di grado industriale
- Completamente qualificati secondo JEDEC per le applicazioni industriali
- Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Utensili alimentati a batteria
- e‑Mobility e APR
- Robotica e droni
- Sistemi solari e di conservazione dell'energia
- Telecomunicazioni e data center
- SMPS a basso consumo energetico
- Raddrizzamento della sincronizzazione per convertitori CA-CC e CC-CC
Specifiche
- Tensione massima continua drain‑sorgente 60 V 80 V 100 V o 120 V
- Dissipazione di potenza massima di 45 W
- Tensione a impulsi gate‑source massima ±6,5
- Intervallo di tensione gate-source da -4,0V a 5,5
- Intervallo di tesione di soglia del gate da 1,2V a 2,9V
- Resistenza del gate tipica 0,5Ω
- Intervallo di resistenza in stato attivo drain‑source massima da 1,9mΩ a 3,7mΩ
- Capacità elettrica
- Intervallo di ingresso massimo da 1100pF a 1700 pF
- Intervallo di uscita massimo da 550pF a 770pF
- Intervallo di trasferimento inverso massimo da 6,4pF a 22pF
- Carica di gate tipica
- Intervallo di carica gate-to-source da 2,7nC a 4,0nC
- Intervallo di carica di gate alla soglia da 2,9nC a 2,0nC
- Intervallo di carica gate-to-drain da 2,3nC a 3,6nC
- Intervallo di carica di commutazione da 3,0nC a 4,7nC
- Intervallo totale di carica di gate da 10nC a 13nC
- Intervallo di tensione di plateau del gate da 2,7V a 2,8V
- Intervallo di carica in uscita da 37nC a 49nC
- Funzionamento inverso
- Intervallo di corrente continua inversa massima da 15A a 16A
- Intervallo di corrente a impulsi inversa massima da 284A a 396A
- Tensione massima source-to-drain 3,4V
- Carica di recupero inverso tipica 0nC
- Intervallo di temperatura di giunzione da -40 °C a +150 °C
- Resistenza termica
- Da giunzione a case superiore 0,6°C/W
- Da giunzione a case inferiore 2,8°C/W
- Da giunzione ad ambiente 1s0p tipica 60°C/W
- Da giunzione ad ambiente 2s2p tipica 38°C/W
Dimensioni
Transistori correlati
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Transistor di potenza in modalità di potenziamento (e-mode) normalmente spento in un alloggiamento compatto.
Strumento di sviluppo
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Applicazione correlata
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Progettato per garantire prestazioni ottimali, design compatto ed efficienza energetica superiore.
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione |
|---|---|---|
| IGC037S12S1XTMA1 |  |
GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm |
| IGB070S10S1XTMA1 | |
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm |
| IGB110S10S1XTMA1 | |
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm |
| IGC019S06S1XTMA1 | |
GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm |
| IGC025S08S1XTMA1 | |
GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm |
| IGB110S101XTMA1 | |
GaN FETs MV GAN DISCRETES |
| IGC033S101XTMA1 | |
GaN FETs MV GAN DISCRETES |
| IGC033S10S1XTMA1 | |
GaN FETs MV GAN DISCRETES |
Pubblicato: 2025-03-31
| Aggiornato: 2026-01-15