Transistori G3 CoolGaN™

I transistori G3 CoolGaN™ di Infineon Technologies sono progettati per fornire prestazioni superiori in applicazioni che richiedono elevata densità di potenza. Questi transistori presentano una resistenza in stato attivo molto bassa, consentendo una conversione di potenza efficiente e perdite di energia ridotte. Disponibili in quattro opzioni di tensione (60 V, 80 V, 100 V o 120 V), i transistori CoolGaN G3 di Infineon offrono una commutazione ultraveloce con una carica gate/uscita estremamente bassa. I transistori sono alloggiati in compatti pacchetti PQFN, che migliorano la gestione termica e supportano il raffreddamento su entrambi i lati, garantendo un funzionamento affidabile anche in condizioni impegnative. Queste caratteristiche rendono i transistori CoolGaN G3 la scelta migliore per applicazioni come le telecomunicazioni, gli alimentatori per data center e i sistemi di alimentazione industriale.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
Scheda dati
8.919A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Scheda dati
3.840A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Scheda dati
3.399A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
Scheda dati
3.577A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Scheda dati
6.355A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
2.250A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
5.415A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
1.225A magazzino
10.00023/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN