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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Scheda dati
9.101A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
9.960A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Scheda dati
3.526A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Scheda dati
2.724A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
Scheda dati
3.024A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
3.677A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
Scheda dati
3.270A magazzino
10.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
1.915A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN