Transistor CoolGaN™ 100 V G3

I transistor CoolGaN™ G3 da 100 V di Infineon Technologies sono transistor di potenza in modalità di potenziamento (e-mode) normalmente spenti, in un alloggiamento compatto. Questi transistor sono caratterizzati da una bassa resistenza in stato attivo, che li rende la scelta ideale per prestazioni affidabili in applicazioni esigenti ad alta corrente e alta tensione. I transistor CoolGaN sono progettati per migliorare la gestione termica. Le applicazioni tipiche includono soluzioni di amplificazione audio, fotovoltaico, infrastrutture di telecomunicazione, e-Mobility, robotica e droni.

Risultati: 5
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Scheda dati
3.840A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Scheda dati
3.399A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
2.250A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
5.415A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Scheda dati
1.225A magazzino
10.00023/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN