Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ 2000 V
I MOSFET CoolSiC ™ 2000 V di Infineon Technologies sono MOSFET a trincea in un package TO-247PLUS-4-HCC. Questi MOSFET sono progettati per fornire una maggiore densità di potenza senza sacrificare l’affidabilità del sistema, anche in condizioni di alta tensione e frequenza di commutazione esigenti. Le basse perdite di potenza della tecnologia CoolSiC™ forniscono una maggiore affidabilità utilizzando la tecnologia di interconnessione .XT e consentono la massima efficienza in varie applicazioni. I MOSFET 2000 V presentano una tensione di soglia del gate di riferimento di 4,5 V e offrono perdite di commutazione molto basse. Le applicazioni tipiche includono sistemi di accumulo di energia, carica EV, inverter di stringa e ottimizzatore di energia solare.
Caratteristiche
- Alta densità di potenza
- Perdite di commutazione molto basse
- Tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria
- Eccellente affidabilità
- Alta efficienza
- Maggiore robustezza all’umidità
- Robusto diodo a corpo per commutazione dura
- Semplicità di progettazione
Specifiche
- Montaggio THT
- 4 PIN
- 2000 V VDSS per sistemi high-D-link CC fino a 1500 VCC
- Tensione di soglia del gate di riferimento 4,5 V
- Package HCC innovativo con distanza di passo 14 mm e distanza di sicurezza 5,5 mm
- Intervallo temperatura di funzionamento da -55 °C a 175 °C
- Temperatura di esercizio della giunzione 175 °C
Applicazioni
- Sistemi di accumulo di energia
- Carica EV
- Inverter di stringa
- Ottimizzatore energia solare
Video
Schema pin
Schemi del package
Risorse aggiuntive
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| Codice prodotto | Scheda dati | Pd - Dissipazione di potenza | Qg - Carica del gate | Rds On - Drain-source sulla resistenza | Id - corrente di drain continua | Tipico ritardo di accensione | Ritardo di spegnimento tipico | Tempo di salita | Tempo di caduta | Transconduttanza diretta - Min |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMYH200R012M1HXKSA1 |  |
552 W | 246 nC | 16.5 mOhms | 123 A | 16 ns | 50 ns | 13 ns | 24 ns | 30 S |
| IMYH200R024M1HXKSA1 | |
576 W | 137 nC | 33 mOhms | 89 A | 19 ns | 40 ns | 11 ns | 16 ns | 20 S |
| IMYH200R075M1HXKSA1 | |
267 W | 64 nC | 98 mOhms | 34 A | 7 ns | 26 ns | 5 ns | 7 ns | 6.5 S |
| IMYH200R050M1HXKSA1 | |
348 W | 82 nC | 64 mOhms | 48 A | 17 ns | 36 ns | 9 ns | 12 ns | 10 S |
| IMYH200R100M1HXKSA1 | |
217 W | 55 nC | 131 mOhms | 26 A | 2 ns | 21 ns | 3 ns | 5 ns | 5 S |