MOSFET trench SiC da 1700V CoolSiC™

I MOSFET Trench SiC CoolSiC™ da 1.700 V di Infineon sono caratterizzati da un rivoluzionario materiale al carburo di silicio ottimizzato per topologie flyback. I MOSFET Trench SiC offrono tensioni gate-source 12 V/0 V compatibili con gran parte dei controller flyback.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
1.530A magazzino
4.00002/03/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
1.827A magazzino
1.25019/03/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
1.97414/05/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC