MOSFET CoolSiC™

I MOSFET Infineon CoolSiC™ sono costruiti su un processo di semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per consentire sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità durante il funzionamento. Il portafoglio discreto CoolSiC in alloggiamenti TO e SMD è disponibile nelle classi di tensione 650 V, 1200 V e 1700 V, con valori di resistenza da 27 mΩ fino a 1000 mΩ. La tecnologia trench CoolSiC consente un set di parametri flessibile, utilizzato per l’implementazione di funzionalità specifiche per applicazioni nei rispettivi portafogli di prodotti. Queste caratteristiche includono tensioni gate-source, specifiche a valanga, capacità di cortocircuito o diodo del corpo interno classificato per la commutazione hard.

Risultati: 30
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
329A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
641A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Scheda dati
369A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
437A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
365A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
434A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
1.163A magazzino
6.00020/08/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
889A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
525A magazzino
1.000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
859A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
1.860A magazzino
2.00023/07/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
1.208A magazzino
1.00027/08/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
1.784A magazzino
3.120In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
597A magazzino
24016/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1.234A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
444A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
289A magazzino
1.200In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
480In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
241In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Scheda dati
26A magazzino
960In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Scheda dati
83A magazzino
1.920In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 220 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Scheda dati
317A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 350 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
27A magazzino
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
10.93026/08/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Scheda dati
2.160In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC