MOSFET CoolSiC™

I MOSFET Infineon CoolSiC™ sono costruiti su un processo di semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per consentire sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità durante il funzionamento. Il portafoglio discreto CoolSiC in alloggiamenti TO e SMD è disponibile nelle classi di tensione 650 V, 1200 V e 1700 V, con valori di resistenza da 27 mΩ fino a 1000 mΩ. La tecnologia trench CoolSiC consente un set di parametri flessibile, utilizzato per l’implementazione di funzionalità specifiche per applicazioni nei rispettivi portafogli di prodotti. Queste caratteristiche includono tensioni gate-source, specifiche a valanga, capacità di cortocircuito o diodo del corpo interno classificato per la commutazione hard.

Risultati: 30
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
617A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Scheda dati
368A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
323A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
364A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
240A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
8.805A magazzino
3.00011/03/2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
849A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
3.844A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
4.395A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1.467A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
516A magazzino
2.000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
2.512A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 13 A 294 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
950A magazzino
1.00024/09/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
597A magazzino
72006/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
334A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
473A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Scheda dati
297A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 350 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
323A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
4.674A magazzino
2.00007/10/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
57A magazzino
2.000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
48024/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
80A magazzino
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Scheda dati
477A magazzino
24013/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
71A magazzino
1.68001/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Scheda dati
5A magazzino
96001/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC