Infineon Technologies MOSFET trench SiC da 1200 V CoolSiC™
I MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC ™ di Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC sono costruiti su un processo a semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per fornire le perdite più basse nell'applicazione e la massima affidabilità di funzionamento. Adatti per le alte temperature e le operazioni negli ambienti più difficili, questi dispositivi consentono l'implementazione semplificata e conveniente della massima efficienza di sistema.
I MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC™ sono alloggiati in package compatti TO-247-3 e TO-247-4. Il package TO-247-4 contiene un collegamento aggiuntivo alla sorgente (connessione Kelvin) che viene utilizzato come potenziale di riferimento per la tensione di pilotaggio del gate, eliminando in tal modo l'effetto delle cadute di tensione sull'induttanza della sorgente. Il risultato sono perdite di commutazione ancora più basse rispetto alla versione TO-247-3, in particolar modo a correnti più elevate e frequenze di commutazione più elevate.
Caratteristiche
- Perdite di commutazione molto basse
- Caratteristica di stato attivo senza soglia
- Ampio intervallo di tensione gate-source
- Tensione di soglia del gate di riferimento, VGS(th) = 4,5 V
- Tensione del gate di spegnimento 0 V
- Dv/dt totalmente controllabile
- Diodo corpo robusto di commutazione, pronto per il raddrizzamento sincrono
- Perdite di commutazione allo spegnimento indipendenti dalla temperatura
- Affidabilità superiore dell'ossido di gate
- Perdite di commutazione e conduzione migliori della categoria
- Pilotaggio compatibile con IGBT (+15 V)
- Tensione di soglia, Vth >4 V
- Protezione da cortocircuito
- Massima efficienza per un minore sforzo di raffreddamento
- Maggiore durata e affidabilità
- Funzionamento a frequenza più elevata
- Riduzione dei costi di sistema
- Densità di potenza maggiore
- Ridotta complessità del sistema
- Facilità di progettazione e implementazione
Applicazioni
- Inverter fotovoltaici (PV)
- Accumulo di energia e carica della batteria
- Gruppi di continuità (UPS)
- Alimentatori a commutazione (SMPS)
- Azionamenti industriali
- Settore medico
Strumenti di sviluppo
Infineon Technologies Scheda convertitore REF-DAB11KIZSICSYS
Uno stadio CC-CC con un'uscita ad ampia gamma che utilizza 2 induttori e 2 condensatori (CLLC) di rete risonante.
Infineon Technologies Schede REF_SiC_D2Pak_MC & REF_SiC_D2Pak_BP
Consentono agli utenti di valutare il MOSFET CoolSiC™ da 1200 V in D2Pak con gate driver isolati coreless.
Infineon Technologies Scheda di riferimento REF-DR3KIMBGSICMA
Contiene due PCB, compreso un circuito driver & e un inverter trifase per applicazioni di azionamento motore.
Infineon Technologies Piattaforma di valutazione MOSFET CoolSiC™ 1200 V
Dimostra i MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC ™ 45 mΩe i CI driver di porta EiceDriver™.
Infineon Technologies Scheda funzionale di alimentazione bipolare REF-1EDC60H12AHDPV2
La scheda funzionale di alimentazione bipolare è la seconda scheda di azionamento della piattaforma di valutazione universale.
Prodotti correlati
Infineon Technologies Moduli CoolSiC™ da 1200 V
Presentano un'alta densità di corrente e design a bassa induttanza con tecnologia di contatto NTC e PressFIT.
Infineon Technologies MOSFET di potenza a trincea CoolSiC™ M1 da 650 V
I MOSFET al carburo di silicio offrono prestazioni affidabili ed economiche in un package a 3–pin TO247.
Infineon Technologies Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes
Improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).
Infineon Technologies 1EDNx550 TDI EiceDRIVER™ Gate Driver ICs
Features Truly Differential Inputs (TDI) to prevent false triggering of power MOSFETs.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ 2000 V
MOSFET a trincea in un package TO-247PLUS-4-HCC con tensione di soglia del gate di riferimento 4,5 V.