Toshiba Soluzioni di unità Solid State (SSD) discrete

Le soluzioni di unità Solid State (SSD) discrete Toshiba presentano un'ampia gamma di prodotti che soddisfa i più recenti requisiti con TVS, diodi a barriera Shottkey (SBD), LDO, CI di commutazione di carico e il nuovo potente CI eFuse. Queste SSD  possono analizzare i dati più velocemente rispetto a un disco rigido (HDD) tradizionale. Con il miglioramento della tecnologia SSD, quest'ultima richiederà circuiti di alimentazione che soddisfino esigenze di alimentazione sempre più rigorose, oltre a una protezione che salvaguardi i dati importanti dai guasti.  Toshiba offre una vasta gamma di interruttori di carico e MOSFET per il controllo degli ingressi di potenza, CI di protezione e diodi progettati per gestire condizioni di potenza di ingresso anomale e sovratensione durante l'hot plug.

Caratteristiche

  • Fornisce una robusta soluzione di protezione dell'alimentazione in una piccola area
  • Mantenere bassa la resistenza in conduzione per produrre un calore minimo
  • Aumentare le capacità di dissipazione del calore con un packaging efficiente
  • Note applicative e altro materiale utile per la progettazione
  • Contribuire a nuovi standard di protezione (IEC-62368-1 e altri) con eFuse

Schema a blocchi

Toshiba Soluzioni di unità Solid State (SSD) discrete

Soluzione circuiti di protezione dell'alimentazione

Le scariche di elettricità statica esterne (ESD), gli ingressi di alimentazione anomali e le sovratensioni durante l'hot swap spesso causano problemi ai sistemi. Per proteggere dati preziosi e PMIC da questi danni, una combinazione di CI eFuse, diodi di protezione ESD, diodi Zener e diodi a barriera Schottky è molto efficace.

Il CI eFuse di Toshiba implementa diverse funzioni di protezione come la protezione da cortocircuito ad altissima velocità e la sovracorrente, la sovratensione e la soppressione della corrente di spunto in un unico package. Inoltre, poiché ha acquisito IEC62368-1 (G.9), è possibile fornire un circuito di protezione più semplice e forte di prima.

Inoltre, un elevato diodo di protezione ESD IPP o diodi Zener possono essere utilizzati per contrastare diverse sovratensioni ESD da ns a ms e tensione transitoria. Combinandolo con SBD, è possibile creare un circuito di protezione più robusto, che funge da misura contro la tensione negativa e previene la corrente inversa.

SCHEMA A BLOCCHI di protezione dell'alimentazione

Toshiba Soluzioni di unità Solid State (SSD) discrete

Soluzione di interruttori di distribuzione dell'alimentazione

La scelta di un interruttore di alimentazione e LDO per le conversioni di tensione è particolarmente importante per il controllo di potenza a bassa tensione/corrente elevata.

In alcuni casi, le linee a bassa tensione non soddisfano i requisiti di tensione minima per molti comuni interruttori di carico. Si consiglia il CI dell'interruttore di carico TCK207AN che opera a soli 0,75 V per gli interruttori di alimentazione a bassa tensione. Inoltre, ha una bassa resistenza in conduzione di 21 mΩ e può emettere fino a 2,0 A. Si consiglia anche il MOSFET piccolo di Toshiba con bassa resistenza in conduzione, che si può trovare in diversi package e configurazioni.

Se il rail di alimentazione non è sufficiente, si consiglia un regolatore LDO. Ad esempio, la serie TCR3U LDO a basso consumo energetico presenta un'ampia tensione di uscita da 0,8 V a 5,0 V con basso consumo di corrente. Varie funzioni integrate riducono la corrente di riposo e migliorano la risposta transitoria.

La serie TCR15AG LDO a grande corrente adotta la tecnologia di alimentazione a doppia alimentazione e può emettere fino a 1,5 A con una vasta tensione di uscita da 0,6 V a 3,6 V con tensione di interruzione ultra-bassa. I regolatori LDO sono ideali e forniscono guide di tensione molto accurate con minimo dropout e si adattano praticamente a qualsiasi progetto.

Schema a blocchi di distribuzione di potenza

Toshiba Soluzioni di unità Solid State (SSD) discrete
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Codice prodotto Scheda dati Descrizione
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Scheda dati MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
TCKE800NA,RF TCKE800NA,RF Scheda dati Controller di tensione hot swap eFuse IC, Auto retry, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable SRC
TCR3UG33A,LF TCR3UG33A,LF Scheda dati Regolatori di tensione LDO LDO Linear Voltage Regulator .3A 3.3V
TCKE805NL,RF TCKE805NL,RF Scheda dati Controller di tensione hot swap eFuse IC, Latch type, 6V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Adjustable OCP
TCK206G,LF TCK206G,LF Scheda dati CI di commutazione alimentazione - distribuzione alimentazione PC Load Switch IOUT:2A VIN:0.75-3.6
TCR15AG10,LF TCR15AG10,LF Scheda dati Regolatori di tensione LDO
TCKE812NA,RF TCKE812NA,RF Scheda dati Controller di tensione hot swap eFuse IC, Auto retry, 15.1V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable OCP
DF2B5M4CT,L3F DF2B5M4CT,L3F Scheda dati Diodi di protezione ESD/Diodi TVS ESD protection diode .3pF 5.0V
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Scheda dati MOSFET Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
SSM3K324R,LF SSM3K324R,LF Scheda dati MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
Pubblicato: 2020-06-03 | Aggiornato: 2024-11-15