U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Risultati: 86
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V 15.000A magazzino
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Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW 16.109A magazzino
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Nastrati: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 94 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W 6.693A magazzino
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 33 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W 2.409A magazzino
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 9 A 18 mOhms 1.9 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4.317A magazzino
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Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V 3.978A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 15 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138 11.061A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package 442A magazzino
3.00020/02/2026 previsto
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Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 22.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W 3.760A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 28 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 39 nC + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A 6.318A magazzino
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Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 1.308A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD 9.826A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V 18.202A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 79.690A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 10.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W 6.192A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 17 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V 65.065A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS 55.214A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS 152.117A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF 49.696A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 81.416A magazzino
51.00002/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET 8.284A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 67.064A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A 28.108A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF 25.968A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 49.519A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel