U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Risultati: 86
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
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108.000A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
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5.342A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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4.291A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
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90.555A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
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13.844A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
Scheda dati
3.493A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 15 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
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2.139A magazzino
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: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 9 A 18 mOhms 1.9 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
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555A magazzino
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 250 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
Scheda dati
9.364A magazzino
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: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
Scheda dati
3.498A magazzino
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: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 28 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 39 nC + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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896A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
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13.070A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A
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78.361A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
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20.568A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
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24.089A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN6B-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 60.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
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36.255A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
Scheda dati
83.528A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
Scheda dati
69.436A magazzino
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: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF
Scheda dati
14.306A magazzino
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: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
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48.765A magazzino
6.00010/07/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
Scheda dati
27.973A magazzino
30.00013/07/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
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28.127A magazzino
100.000In ordine
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: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
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96.682A magazzino
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: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10 A 15.3 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 29.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package
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12.194A magazzino
21.00013/07/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 6.74 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
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6.930A magazzino
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Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel