U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Risultati: 43
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS 369.132A magazzino
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Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V 282.583A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 80 mA, 720 mA 240 mOhms, 300 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 2 nC, 1.76 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII / U-MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V 143.935A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 1.6 A, 1.4 A 122 mOhms, 226 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2 V 5.1 nC, 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 304.777A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 283.861A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 330 mA 1.31 Ohms - 8 V, 8 V 300 mV 1.2 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V 57.311A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 226 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package 15.631A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 123 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package 2.328A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V 16.967A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL 3.360A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 79.690A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 10.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52 159.978A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 1.23 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 118.883A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz 14.880A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 13.6 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package 25.886A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 93 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 58.072A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 8.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V 68.004A magazzino
30.00024/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.65 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 19.967A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 504A magazzino
28.36613/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 18.740A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 5.6 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET 23.774A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 4.535A magazzino
20.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 18.249A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 30.117A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 12.103A magazzino
18.00020/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel