STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N MDmesh™ V

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V STMicroelectronics contengono la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ V, basata su un innovativo processo verticale brevettato, combinato con la nota struttura orizzontale STMicroelectronics PowerMESH™. I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V Power hanno una resistenza in conduzione estremamente bassa, senza paragoni tra i MOSFET di potenza al silicio, caratteristica che li rende particolarmente adatti alle applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza straordinaria.

STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFETs feature a silicon-based technology that combines an innovative proprietary vertical technology process with STMicroelectronics' PowerMESH horizontal layout. This technology achieves up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establishes a new milestone in the power switch arena.

View Surface Mount | Thru-Hole | MDmesh M5 Power MOSFETs

Caratteristiche

  • Outstanding RDS(on) area values
  • Fast switching
  • High VDSS rating
  • High dV/dt capability
  • Easy to drive
  • 100% avalanche tested

Applicazioni

  • SMPS (computers, high-efficiency adapters, and telecom)
  • Lighting (electronic ballast, HID)
  • Displays (TVs, monitors)
  • Solar converters
Pubblicato: 2011-09-15 | Aggiornato: 2025-10-24