Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

STY112N65M5

Name: STMicroelectronics STY112N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STY112N65M5
Price: 24.84 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-STY112N65M5

N. produttore:

STY112N65M5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

Completa il tuo progetto

Scheda dati:

STY112N65M5 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics STY112N65M5

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica.

Immetti la quantità:

Minimo: 600 Multipli: 600

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	24,84 €	14.904,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	Max247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	96 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	19 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	350 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	625 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M5
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	5 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

STY112N65M5 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh M5 Power MOSFETs

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding R_DS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products offering greater energy savings, superior power density, and more compact applications.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MOSFET di potenza a canale N MDmesh™ V

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V STMicroelectronics contengono la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ V, basata su un innovativo processo verticale brevettato, combinato con la nota struttura orizzontale STMicroelectronics PowerMESH™. I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V Power hanno una resistenza in conduzione estremamente bassa, senza paragoni tra i MOSFET di potenza al silicio, caratteristica che li rende particolarmente adatti alle applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza straordinaria.
Maggiori informazioni