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STY112N65M5

Name: STMicroelectronics STY112N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STY112N65M5
Price: 23.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STY112N65M5

N. produttore:

STY112N65M5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

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Scheda dati:

STY112N65M5 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	23,45 €	14.070,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	Max247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	96 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	19 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	350 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	625 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M5
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	5 g

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Scheda dati

STY112N65M5 Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MDmesh M5 Power MOSFETs

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding R_DS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products offering greater energy savings, superior power density, and more compact applications.

MOSFET di potenza a canale N MDmesh™ V

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V STMicroelectronics contengono la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ V, basata su un innovativo processo verticale brevettato, combinato con la nota struttura orizzontale STMicroelectronics PowerMESH™. I MOSFET di potenza STMicroelectronics a canale N MDmesh™ V Power hanno una resistenza in conduzione estremamente bassa, senza paragoni tra i MOSFET di potenza al silicio, caratteristica che li rende particolarmente adatti alle applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza straordinaria.
Maggiori informazioni

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.