ROHM Semiconductor Diodi a barriera Schottky SiC TO-220ACG

I diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC) TO-220ACG di ROHM Semiconductor presentano un intervallo di tensione inversa da 650 V a 1200 V e un intervallo di corrente inversa continua da 1,2 µA a 20,0 µA. La tecnologia SiC consente a questi dispositivi di mantenere una carica capacitiva bassa (Q_c), riducendo la perdita di commutazione e consentendo il funzionamento di commutazione ad alta velocità. Inoltre, a differenza dei diodi a recupero rapido a base di Si, dove il tempo di recupero inverso aumenta insieme alla temperatura, i dispositivi SiC mantengono caratteristiche costanti, garantendo prestazioni migliori.