ROHM Semiconductor Diodi a barriera Schottky SIC AEC-Q101

I diodi a barriera SCHOTTKY SIC AEC-Q101 di ROHM Semiconductor offrono tensioni di rottura da 600 V, il che supera di gran lunga il limite superiore per gli SBD in silicio. I diodi AEC-Q101 utilizzano SIC, il che li rende ideali per circuiti e inverter PFC. Inoltre, la commutazione ad alta velocità è abilitata con un tempo di recupero inverso ultra-ridotto. Ciò riduce al minimo la carica di recupero inverso e la perdita di commutazione, contribuendo alla miniaturizzazione del prodotto finale. I diodi a barriera SCHOTTKY SIC AEC-Q101 offrono un intervallo di tensione inversa da 650 V a 1200 V, un intervallo di corrente continua diretta da 1,2 µ A a 260 µ A e un intervallo di dissipazione di potenza totale compreso tra 48 W e 280 W. I dispositivi sono disponibili in package TO-247 e TO-263, per una temperatura massima di +175°C.