ROHM Semiconductor MOSFET di potenza AEC-Q101 canale N in carburo di silicio (SiC) SCT4062KWAHR
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N SCT4062KWAHR AEC-Q101 di ROHM Semiconductor è un dispositivo ad alte prestazioni di grado automobilistico destinato all'uso in ambienti automobilistici particolarmente esigenti. L'SCT4062KWAHR di ROHM presenta una tensione nominale drain-source di 1.200 V e una corrente di drain continua di 24 A (a +25°C), rendendo il MOSFET adatto per sistemi di conversione di potenza ad alta tensione e alta efficienza. Con una resistenza di conduzione tipico di 62 mΩ SCT4062KWAHR riduce al minimo le perdite di conduzione e supporti una commutazione rapida, il che contribuisce a ridurre la perdita di potenza e a migliorare le prestazioni termiche. Il dispositivo, confezionato nel formato TO-263-7LA, offre un'eccellente dissipazione del calore e facilità di integrazione nei moduli di potenza compatti. L'SCT4062KWAHR è ideale per applicazioni di veicoli elettrici (EV) come inverter di trazione, caricatori di bordo e convertitori CC-CC, dove l'affidabilità, l'efficienza e la stabilità termica sono fondamentali.
Caratteristiche
- Conformi alle qualifiche AEC-Q101
- Bassa resistenza in conduzione
- Velocità di commutazione elevata
- Recupero inverso rapido
- Facile da mettere in parallelo
- Semplice da pilotare
- Package TO-263-7LA
- Ampia distanza di dispersione 4,7 mm (minima)
- Rivestimento senza piombo
- Conforme alla direttiva RoH
Applicazioni
- Automotive
- Alimentatori a commutazione
Specifiche
- Tensione massima drain-sorgente 1.200 V
- Massima corrente continua drain/sorgente
- 24 A a +25 °C
- 17 A a +100 °C
- Corrente massima drain gate a tensione zero 80 μA
- Corrente massima di drain impulsiva 52 A
- Diodo di corpo
- Corrente diretta massima
- 24 A impulsiva
- 52 A sovratensione
- Tensione diretta tipica di 3,3 V
- Tempo di recupero inverso tipico di 8,1 ns
- Carica di recupero inverso di 105 nC
- Tipica corrente di picco di recupero inverso 26 A
- Corrente diretta massima
- Intervallo di tensione CC di gate-source massimo da -4 V a 21 V
- Intervallo massimo di tensione di sovratensione gate-source da -4 V a 23 V
- Tensione di gate-source di azionamento massima consigliata
- Intervallo di accensione massima da 15 V a 18 V
- Spegnimento a 0 V
- Corrente di dispersione gate-source ±100nA
- Intervallo di tesione di soglia del gate da 2,8 V a 4,8 V
- Resistenza in stato attivo statica drain-source massima
- 81 mΩ a +25 °C
- 62 mΩ tipico
- Resistenza di ingresso del gate tipica 4 Ω
- Resistenza termica giunzione-corpo 1,6 K/W
- Transconduttanza tipica 6,5 S
- Capacità elettrica tipica
- 1,498 pF di ingresso
- 45 pF di uscita
- 3 pF di trasferimento inverso
- 54 pF di uscita effettiva, relativa all'energia
- Gate tipica
- 64 nC totale
- 14 nC carica sorgente
- 17 nC carica drain
- Tempo tipico
- Ritardo di accensione 4,4 ns
- Salita 11 ns
- Ritardo di spegnimento 22 ns
- Discesa 10 ns
- Perdite di commutazione tipiche
- Accensione 132 μJ
- Spegnimento 6 μJ
- Temperatura di giunzione virtuale massima +175 °C
Circuito interno
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Pubblicato: 2025-06-13
| Aggiornato: 2025-06-19