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SCT4062KWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KWAHRTL
Price: 9.76 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SCT4062KWAHRTL

N. produttore:

SCT4062KWAHRTL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

Scheda dati:

SCT4062KWAHRTL Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	9,76 €	9,76 €
	6,92 €	69,20 €
	5,88 €	588,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	4,99 €	4.990,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-7LA
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	81 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	64 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	93 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	6.5 S
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	MOSFET's
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	11 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns
Tipico ritardo di accensione:	4.4 ns

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Scheda dati

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza AEC-Q101 canale N in carburo di silicio (SiC) SCT4062KWAHR

Il MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N SCT4062KWAHR AEC-Q101 di ROHM Semiconductor è un dispositivo ad alte prestazioni di grado automobilistico destinato all'uso in ambienti automobilistici particolarmente esigenti. L'SCT4062KWAHR di ROHM presenta una tensione nominale drain-source di 1.200 V e una corrente di drain continua di 24 A (a +25°C), rendendo il MOSFET adatto per sistemi di conversione di potenza ad alta tensione e alta efficienza. Con una resistenza di conduzione tipico di 62 mΩ SCT4062KWAHR riduce al minimo le perdite di conduzione e supporti una commutazione rapida, il che contribuisce a ridurre la perdita di potenza e a migliorare le prestazioni termiche. Il dispositivo, confezionato nel formato TO-263-7LA, offre un'eccellente dissipazione del calore e facilità di integrazione nei moduli di potenza compatti. L'SCT4062KWAHR è ideale per applicazioni di veicoli elettrici (EV) come inverter di trazione, caricatori di bordo e convertitori CC-CC, dove l'affidabilità, l'efficienza e la stabilità termica sono fondamentali.

MOSFET di potenza SiC a canale N di 4a generazione

I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) a canale N di 4a generazione di ROHM Semiconductor offrono basse resistenze in conduzione con miglioramenti nel tempo di resistenza a cortocircuito. I MOSFET SiC di 4a generazione sono semplici da azionare e mettere in parallelo. I MOSFET sono caratterizzati da velocità di commutazione/recupero inverso elevate, basse perdite di commutazione e una temperatura operativa massima di +175 °C. I MOSFET di potenza SSiC N-Channel di quarta generazione di ROHM supportano una tensione di commutazione tra gate e source di 15 V che contribuisce al risparmio energetico del dispositivo.

MOSFET di potenza SiC AEC-Q101

I MOSFET di potenza SiC AEC-Q101 di ROHM Semiconductor sono ideali per alimentatori automobilistici e a commutazione. I MOSFET di potenza SiC possono essere utilizzati per aumentare la frequenza di commutazione, riducendo i volumi di condensatori, reattori e altri componenti richiesti. I MOSFET di potenza SiC AEC-Q101 offrono eccellenti riduzioni di dimensioni e peso all’interno di vari sistemi di azionamento, come inverter e convertitori CC-CC nei veicoli.