onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L095N065SC1
I MOSFET al carburo di silicio (SIC) NVH4L095N065SC1 di onsemi presentano una tecnologia avanzata per migliori prestazioni e affidabilità di commutazione. Il modello NVH4L095N065SC1 onsemi vanta bassa resistenza in conduzione e chip di dimensioni compatte con conseguente riduzione della capacitanza e della carica del gate. Il dispositivo offre anche alta efficienza, funzionamento rapido, maggiore densità di potenza, minori EMI e dimensioni di impianto più contenute.
Caratteristiche
- Tip. RDS(on) = 70m @ VGS = 18V
- Tip. RDS(on) = 95m @ VGS = 15V
- Carica del gate ultrabassa (QG(tot) = 50nC)
- Bassa capacità di uscita (Coss = 89pF)
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Qualifica AEC−Q101 e capacità PPAP
- Questo dispositivo è privo di piombo ed è conforme a RoHS
Applicazioni
- Caricatore di bordo per il settore automotive
- Convertitore CC/CC per il settore automobilistico per EV/HEV
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onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL075N065SC1
Dispositivi ad alte prestazioni con caratteristiche eccezionali.
Maggiori informazioni su EliteSiC
onsemi EliteSiC
Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.
Pubblicato: 2023-11-08
| Aggiornato: 2024-06-18