onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG030N120M3S

Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG030N120M3S di Onsemi è un MOSFET EliteSiC planare M3S da 1.200 V ottimizzato per applicazioni a commutazione rapida. Questo MOSFET presenta una carica di gate ultra bassa di 107 nC, una commutazione ad alta velocità di 106 pF con bassa capacità e una resistenza in condzione drain-to-source tipica di 29 mΩ. a VGS=18V. Il MOSFET in SiC NVBG030N120M3S offre prestazioni ottimali quando è azionato con un gate drive da 18 V; tuttavia, funziona bene anche con un gate drive da 15 V. Questo MOSFET è testato a valanga 100%, omologato AEC-Q101 e compatibile con PPAP. Il MOSFET NVBG030N120M3S è disponibile in un package D2PAK-7L per bassa induttanza della sorgente comune ed è senza piombo 2LI (sull’interconnessione di secondo livello) e conforme a RoHS (con esenzione 7 A). Le applicazioni tipiche includono caricabatterie su scheda per il settore automobilistico e convertitori CC/CC per EV/HEV.

Caratteristiche

  • 30mΩ RDS(ON)
  • Package D2PAK-7L per una bassa induttanza della sorgente comune
  • Intervallo di pilotaggio della porta da 15 V a 18 V
  • Tecnologia M3S (30 mΩ RDS(ON) con basse perdite EON e EOFF)
  • Collaudati al 100% con metodo a valanga
  • Conforme alle qualifiche AEC-Q101 per il settore automobilistico
  • 2LI senza piombo (su interconnessione di secondo livello)
  • Privi di alogenuri e conformi a RoHS con esenzione 7 A

Specifiche

  • carica del gate ultrabassa 107nC
  • commutazione ad alta velocità 106 pF con bassa capacità
  • Resistenza in conduzione drain-source tipica 29 mΩ a VGS=18V
  • corrente di drain massima tensione a gate zero 100 µA
  • transconduttanza diretta tipica 30 s
  • capacità di ingresso tipica 2430 pF
  • capacità di uscita tipica 106 pF
  • corrente sorgente 68 A (diodo corpo)
  • energia a valanga drain-to-source a impulso singolo 220mJ
  • temperatura massima per saldatura 270 °C (10 s)
  • Intervallo di temperatura di funzionamento della giunzione da -55 °C a 175 °C
  • Intervallo di temperatura di conservazione da -55 °C a 175 °C

Applicazioni

  • Caricabatterie integrati per il settore automobilistico
  • convertitori CC/CC automobilistici per EV/HEV

Dimensioni package

Disegno meccanico - onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG030N120M3S
Pubblicato: 2023-08-09 | Aggiornato: 2025-10-01