MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG030N120M3S

Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG030N120M3S di Onsemi è un MOSFET EliteSiC planare M3S da 1.200 V ottimizzato per applicazioni a commutazione rapida. Questo MOSFET presenta una carica di gate ultra bassa di 107 nC, una commutazione ad alta velocità di 106 pF con bassa capacità e una resistenza in condzione drain-to-source tipica di 29 mΩ. a VGS=18V. Il MOSFET in SiC NVBG030N120M3S offre prestazioni ottimali quando è azionato con un gate drive da 18 V; tuttavia, funziona bene anche con un gate drive da 15 V. Questo MOSFET è testato a valanga 100%, omologato AEC-Q101 e compatibile con PPAP. Il MOSFET NVBG030N120M3S è disponibile in un package D2PAK-7L per bassa induttanza della sorgente comune ed è senza piombo 2LI (sull’interconnessione di secondo livello) e conforme a RoHS (con esenzione 7 A). Le applicazioni tipiche includono caricabatterie su scheda per il settore automobilistico e convertitori CC/CC per EV/HEV.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V
Scheda dati
560A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 39 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Scheda dati
761A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 39 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC