onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTHL075N065SC1

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTHL075N065SC1 di onsemi offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. NTHL075N065SC1 di onsemi presenta una bassa resistenza in conduzione e un chip di dimensioni compatte che garantisce bassa capacità e carica del gate. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Caratteristiche

  • Tip. RDS(on) = 57m @ VGS = 18V
  • Tip. RDS(on) = 75m @ VGS = 15V
  • Carica del gate ultrabassa (QG(tot) = 61nC)
  • Bassa capacità di uscita (Coss = 107pF)
  • Collaudati al 100% con il metodo a valanga
  • TJ = 175°C
  • Questo dispositivo è privo di alogenuri e conforme a RoHS con esenzione 7 a, senza piombo 2LI (interconnessione di secondo livello)

Applicazioni

  • Alimentatori a commutazione (SMPS)
  • Inverter solari
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Accumulatori di energia
Pubblicato: 2023-01-05 | Aggiornato: 2023-03-21