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NTHL075N065SC1

Name: onsemi NTHL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL075N065SC1
Price: 7.87 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTHL075N065SC1

N. produttore:

NTHL075N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Scheda dati:

NTHL075N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	4,56 €	45,60 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	38 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	85 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	61 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	148 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	9 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	12 ns
Serie:	NTHL075N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	20 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns

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NTHL075N065SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Pompe di calore

La pompa di calore rappresenta una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile, sfruttando elettricità a basse emissioni per fornire calore affidabile. Mentre la sua funzione principale è il riscaldamento, gli innovativi modelli a ciclo inverso offrono anche capacità di raffreddamento. Inoltre, recuperando in modo efficiente il calore residuo ed elevando la temperatura a livelli pratici, le pompe di calore hanno un immenso potenziale di conservazione dell’energia. Con il passaggio delle aziende a un futuro a basse emissioni di carbonio, cresce la domanda di semiconduttori di potenza più efficienti. Per questa ricerca è fondamentale bilanciare costi, ingombro ed efficienza. I moduli di potenza intelligenti (IPM) di Onsemi emergono come una soluzione apprezzabile nel mercato delle pompe di calore, offrendo un design compatto, alta densità di potenza e funzionalità di controllo avanzate.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTHL075N065SC1

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTHL075N065SC1 di onsemi offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. NTHL075N065SC1 di onsemi presenta una bassa resistenza in conduzione e un chip di dimensioni compatte che garantisce bassa capacità e carica del gate. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.