onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTH4L060N065SC1
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) NTH4L060N065SC1 di Onsemi offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Il MOSFET ha una bassa resistenza in conduzione e le sue dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.
Caratteristiche
- Tip. RDS(on) = 44 m a VGS = 18 V
- Tip. RDS(on) = 60 m a VGS = 15 V
- Carica di gate ultra bassa (QG(tot) = 74 nC)
- Bassa capacità (Coss = 133 pF)
- 100% testato per le valanghe
- TJ = 175°C
- Questo dispositivo è privo di Pb ed è conforme alla normativa RoHS
Applicazioni
- SMPS (Alimentatori a commutazione)
- Inverter solari
- UPS (gruppi di continuità)
- Accumulatori di energia
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Pubblicato: 2022-05-09
| Aggiornato: 2024-06-19