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NTH4L060N065SC1

Name: onsemi NTH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L060N065SC1
Price: 7.26 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTH4L060N065SC1

N. produttore:

NTH4L060N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Scheda dati:

NTH4L060N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	5,34 €	53,40 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	33 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	70 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	74 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	88 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	12 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	14 ns
Serie:	NTH4L060N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	24 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns

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Scheda dati

NTH4L060N065SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTH4L060N065SC1

Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) NTH4L060N065SC1 di Onsemi offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Il MOSFET ha una bassa resistenza in conduzione e le sue dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 650 V

I MOSFET onsemi a 650V al carburo di silicio (SiC) offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio (Si). Questi MOSFET SiC da 650 V presentano una bassa resistenza di accensione e una dimensione compatta del chip per garantire una bassa capacità e carica di gate. I vantaggi includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.