Nexperia FET al nitruro di gallio (GaN) GAN041-650WSB

Il FET al nitruro di gallio (GaN) GAN041-650WSB di Nexperia offre una tensione drain-source di 650 V, una corrente nominale di drain di 47,2 A e una resistenza massima di 41 mΩ. Il GAN041 è disponibile in un package TO-247 ed è un dispositivo normalmente spento che combina la tecnologia HEMT H2 GaN ad alta tensione e le tecnologie MOSFET in silicio a bassa tensione. La combinazione di queste tecnologie offre affidabilità e prestazioni superiori. Il FET GaN GAN041-650WSB di Nexperia è ideale per PFC totem pole senza ponte, unità servomotore e convertitori di commutazione hard e soft per alimentazione industriale e datacom.