Nexperia FET GaN eMode
I GaN FET eMode di Nexperia offrono un intervallo di tensione da 100 V a 650 V e prestazioni di commutazione superiori. Questi FET offrono una rapida capacità di transizione e commutazione, eccellente efficienza energetica e bassi valori QC e QOSS.
I FET GaN eMode a bassa tensione (<200 V) di Nexperia offrono una flessibilità ottimale nei sistemi di alimentazione. Questi dispositivi offrono prestazioni di commutazione superiori grazie a valori QC e QOSS molto bassi. Consentono un caricamento più rapido per sistemi di e-mobility e di cambio cablato/wireless, nonché significativi risparmi di spazio e di DIBA in LiDAR e rumore ridotto negli amplificatori audio di classe D.
Visualizza i FET GaN eMode a bassa tensione (<200 V) di Nexperia
I FET GaN eMode (da 200 V a 650 V) ad alta tensione di Nexperia offrono una flessibilità ottimale nei sistemi di alimentazione e sono ideali per applicazioni 650 V a bassa potenza. Con prestazioni di commutazione superiori grazie a valori di QC e QOSS molto bassi, questi dispositivi garantiscono una maggiore efficienza della conversione di potenza CA/CC e CC/CA a 650 V. Inoltre, consentono significativi risparmi di spazio e di DIBA nelle unità BLDC, nei micro driver di servomotore o nei driver LED.
Visualizzare i GaN FET eMode ad alta tensione (200 V - 650 V) di Nexperia
Caratteristiche
- Modalità arricchimento – interruttore di alimentazione normalmente disattivato
- Capacità di commutazione ad altissima frequenza
- Nessun diodo carrozzeria
- Bassa carica del gate, bassa carica di uscita
- Qualificati per applicazioni standard
- Protezione ESD
- Senza piombo, conformi a RoHS e REACH
- Alta efficienza e alta densità di potenza
Applicazioni
- Alta densità di potenza e conversione di potenza altamente efficiente
- Convertitori CA-CC
- Ricarica rapida per batterie, telefoni cellulari, computer portatili, tablet e caricabatterie USB Type-C™
- Convertitori per comunicazioni dati e telecomunicazioni (CA-CC e CC-CC)
- Driver per motori
- Amplificatori audio di classe D
Risorse aggiuntive
- Tecnologia Power GaN: la necessità di una conversione di potenza efficiente
- Nexperia lancia i GaN FET e-mode per applicazioni a bassa e alta tensione
- Design del circuito del driver di porta per i GaN FET di Nexperia a 650 V in modalità di arricchimento (e-mode)
- GaN FET a 650 V – Dall’invenzione alla produzione
- Eliminare la funzione CEM sostituendo un MOSFET con un transistor GaN
- Tecnologia di alimentazione GaN: necessità di una conversione di potenza efficiente
- Foglietto illustrativo FET di alimentazione in nitruro di gallio (GaN)
- Alimentazione GaN: necessità di una conversione di potenza efficiente
- Ampliamento delle applicazioni GaN FET con e-mode
- GaN svela l'efficienza degli inverter fotovoltaici
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