MOSFET GaN eMode

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Risultati: 12
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Scheda dati
1.976A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Scheda dati
1.945A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Scheda dati
1.904A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Scheda dati
1.976A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Scheda dati
2.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 17A FET
Scheda dati
2.060A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 17A FET
Scheda dati
1.728A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8072 100V 60A FET
Scheda dati
1.705A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
Scheda dati
4.698A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 29A FET
Scheda dati
286A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
Scheda dati
720A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
Scheda dati
2.48309/03/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement