Wolfspeed HEMT GAN CGHV600 a 6 GHz

Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al GaN (nitruro di gallio) CGHV600 6 GHz di Cree offrono prestazioni superiori rispetto ai transistor al silicio (Si) o all'arseniuro di gallio (GaAs). Gli HEMT GaN CGHV600 offrono maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica. Questi transistor offrono inoltre maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda. I dispositivi della serie CGHV600 sono ideali per l'uso in una varietà di applicazioni, tra cui infrastrutture cellulari e amplificatori di classe A, AB e lineari.

The CGHV60040D and CGHV60075D5 6.0GHz GaN HEMTs are offered as bare die. The overall die size of the CGHV60040D is 820μm x 1800μm x 100μm. The overall die size of the CGHV60075D5 is 3000μm x 820μm x 100μm.

Caratteristiche

CGHV60040D
- 18dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 40W typical P_SAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 820μm x 1800μm x 100μm bare die

CGHV60075D5
- 19dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 75W typical P_SAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 3000μm x 820μm x 100μm bare die