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CMPA0530002S

Name: MACOM CMPA0530002S
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA0530002S
Price: 101.66 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-CMPA0530002S

N. produttore:

CMPA0530002S

Produttore:

MACOM

Descrizione:

Amplificatori RF MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4

Scheda dati:

CMPA0530002S Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 50)

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MouseReel™ (+5,00 €)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	101,66 €	101,66 €
	87,21 €	872,10 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 50)
	82,41 €	4.120,50 €
	79,62 €	7.962,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	Amplificatori RF
RoHS::
Frequenza di lavoro:	500 MHz to 3 GHz
Tensione di alimentazione di lavoro:	28 V
Guadagno:	17.52 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-12
Tecnologia:	GaN
Temperatura di lavoro minima:	- 65 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	MACOM
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	RF Amplifier
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Scheda dati

CMPA0530002S Scheda dati (PDF)

PCN

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Codici di conformità

TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Stati Uniti d'America
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

HEMT GaN CMPA0530002S

L'HEMT GaN CMPA0530002S di Wolfspeed è un transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) senza pari in nitruro di gallio (GaN) progettato appositamente per funzionalità ad alta efficienza, alto guadagno e ampia larghezza di banda. Il CMPA0530002S opera su una guida da 28 V racchiuso in un package DFN (dual-flat-no-lead) da 3 mm x 4 mm a montaggio superficiale. Il transistor può funzionare a meno di 28 V fino a 20 V V_DD con potenza ridotta, mantenendo un elevato guadagno ed efficienza.