HEMT GAN CGHV600 a 6 GHz

Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al GaN (nitruro di gallio) CGHV600 6 GHz di Cree offrono prestazioni superiori rispetto ai transistor al silicio (Si) o all'arseniuro di gallio (GaAs). Gli HEMT GaN CGHV600 offrono maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica. Questi transistor offrono inoltre maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda. I dispositivi della serie CGHV600 sono ideali per l'uso in una varietà di applicazioni, tra cui infrastrutture cellulari e amplificatori di classe A, AB e lineari.
Maggiori informazioni

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Pd - Dissipazione di potenza
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Scheda dati
Commenti sul prodotto
Tempo di consegna 26 settimane
Min: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
Scheda dati
Commenti sul prodotto
10A magazzino
Min: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W