STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
Il transistor E-Mode PowerGaN SGT080R70ILB di STMicroelectronics è un transistor in modalità potenziamento progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza. Dotato di una tensione nominale drain-source di 700 V e di una resistenza di tipica di soli 80 mΩ, il SGT080R70ILB di STMicroelectronics sfrutta le prestazioni di commutazione superiori del nitruro di gallio (GaN), una tecnologia per ridurre al minimo la conduzione e le perdite di commutazione. Alloggiato in un compatto package PowerFLAT 8x8 HV, il transistor supporta il funzionamento ad alta frequenza ed è ideale per l'uso in convertitori risonanti, stadi di correzione del fattore di potenza (PFC) e convertitori CC-CC. Una bassa carica del gate e una bassa capacità di uscita consentono transizioni più rapide e una ridotta dissipazione di energia, rendendo SGT080R70ILB adatto per applicazioni impegnative nell'elettronica di consumo, nei sistemi industriali e nei data center.
Caratteristiche
- Modalità potenziamento normalmente disattivata dal transistor
- Velocità di commutazione molto elevata
- Alta capacità di gestione dell'energia
- Capacità estremamente basse
- Pad sorgente Kelvin per il pilotaggio ottimale del gate
- Carica di recupero inverso pari a zero
- Protezione ESD
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Elettronica di consumo
- Sistemi industriali
- Data centre
- Adattatori per tablet, notebook e AIO
- Adattatori USB Type-C® PD e caricatori rapidi
- Convertitori CA-CC
- Convertitori CC-CC
- Convertitori risonanti
- Stadi di correzione del fattore di potenza (PFC)
Specifiche
- Tensione massima di drain-source di 700 V
- Tensione massima di drain-source transitoria di 800 V a tp < 200="">
- Tensione di gate-source massima: da -6 V a 7 V
- Corrente di drain continua massima di 29 A a +25 °C
- Corrente di drain pulsata massima di 58 A con tp = 10 μs
- Dissipazione di potenza totale massima di 188 W a +25 °C
- Valore tipico di tensione di conduzione inversa source-drain: 2,3 V
- A commutazione
- Tempo di ritardo di accensione tipico: 3 ns
- Tempo di incremento tipico: 4 ns
- Tempo di ritardo di spegnimento tipico: 5 ns
- Tempo di riduzione tipico: 4 ns
- Statico
- Corrente di dispersione drain-source massima di 390 μA
- Tipica corrente di dispersione gate-source: 163 μA
- Intervallo di tesione di soglia del gate: da 1,2 V a 2,5 V
- Resistenza statica drain-source massima: 80 mΩ
- Protezione ESD modello Human Body (HBM) di 2 kV
- Intervallo di temperatura di funzionamento della giunzione: da -55 °C a +150 °C
- Resistenza
- Capacità di ingresso tipica: 225 pF
- Capacità di uscita tipica: 70 pF
- Capacità elettrica di trasferimento inversa tipica: 0,5 pF
- Capacità di uscita equivalente tipica correlata all'energia: 105 pF
- Capacità di uscita equivalente tipica correlata al tempo: 150 pF
- Resistenza intrinseca del gate tipica: 3 Ω
- Tensione del plateau del gate tipica: 2,2 V
- Carica di gate totale tipica di 6,2 nC
- Carica gate-source tipica di 0,5 nC
- Carica gate-drain tipica di 2,2 nC
- Carica di recupero inversa tipica di 0 nC
- Carica di uscita tipica di 60 nC
- Resistenza termica
- Giunzione-alloggiamento: 0,52 °C/W
- Giunzione-ambiente: 33,6 °C/W
Schematico
Circuiti di prova
Completa il design
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2025-10-20
| Aggiornato: 2025-12-04