STMicroelectronics MOSFET di potenza STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE

I MOSFET di potenza STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE STMicroelectronics sono MOSFET di potenza a canale N qualificati per il settore automobilistico secondo AEC-Q101 che combinano la migliore resistenza del settore con basse capacità interne e carica del gate, aumentando sia la conduzione che l'efficienza della commutazione. Disponibili negli integrati TO-220 o H2PAK a 2 o 6 conduttori, standard del settore, questi dispositivi aiutano i progettisti a ridurre le dimensioni della scheda e a massimizzare la densità di alimentazione. I MOSFET STH315N10F7 possiedono inoltre un'elevata robustezza di livello avalanche per resistere alle condizioni potenzialmente dannose. Con 100 V nominali, questi MOSFET STripFET VII DeepGATE offrono un adeguato margine di sicurezza per resistere alle sovratensioni tipiche. I MOSFET STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE sono inoltre particolarmente adatti per prestazioni molto gravose nelle applicazioni automobilistiche e di commutazione.