MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120

I MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120 STMicroelectronics sono prodotti utilizzando materiali a banda larga avanzati e innovativi. Questo consente una resistenza senza pari in stato attivo per unità di area ed eccellenti prestazioni di commutazione praticamente indipendenti dalla temperatura. Le eccellenti proprietà termiche del materiale in SiC e il package esclusivo HiP247™ consentono ai progettisti di utilizzare strutture standard del settore con caratteristiche termiche migliorate in modo significativo. Queste caratteristiche rendono i dispositivi perfettamente adatti per le applicazioni con elevata densità di potenza e a elevata efficienza.
Maggiori informazioni

Tipi di Transistor
Modifica visualizzazione categoria
Risultati: 45
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Scheda dati
252A magazzino
60016/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Scheda dati
969A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Scheda dati
2.681A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Scheda dati
2.329A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
922A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Scheda dati
274A magazzino
60009/03/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Scheda dati
739A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
513A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel

STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Scheda dati
502A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
1.082A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Scheda dati
1.011A magazzino
60004/01/2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
547A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
641A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Scheda dati
1.779A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
14A magazzino
2.00012/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Scheda dati
37A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
425A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
202A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
552A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Scheda dati
353A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Scheda dati
698A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Scheda dati
629A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
483A magazzino
1.20020/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
142A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
57A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel