MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120

I MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120 STMicroelectronics sono prodotti utilizzando materiali a banda larga avanzati e innovativi. Questo consente una resistenza senza pari in stato attivo per unità di area ed eccellenti prestazioni di commutazione praticamente indipendenti dalla temperatura. Le eccellenti proprietà termiche del materiale in SiC e il package esclusivo HiP247™ consentono ai progettisti di utilizzare strutture standard del settore con caratteristiche termiche migliorate in modo significativo. Queste caratteristiche rendono i dispositivi perfettamente adatti per le applicazioni con elevata densità di potenza e a elevata efficienza.
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Scheda dati
2.311A magazzino
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Min: 1
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: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Scheda dati
1.597A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
392A magazzino
1.00007/05/2027 previsto
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Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Scheda dati
28A magazzino
60014/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Scheda dati
71A magazzino
1.200In ordine
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Min: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
596A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
455A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
352A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
160A magazzino
1.20005/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Scheda dati
379A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
848A magazzino
Min: 1
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: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Scheda dati
246A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Scheda dati
348A magazzino
60029/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Scheda dati
493A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
517A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
481A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Scheda dati
1.414A magazzino
Min: 1
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: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
11A magazzino
1.00002/04/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
45A magazzino
1.00005/02/2027 previsto
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Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
48A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
49A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
44A magazzino
1.20029/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Scheda dati
831A magazzino
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Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Scheda dati
443A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Scheda dati
393A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel