MOSFET SiC – Mouser Italia

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MOSFET di potenza in carburo di silicio automotive

I MOSFET di potenza in carburo di silicio di classe automotive sono stati sviluppati utilizzando l’innovativa e avanzata tecnologia MOSFET SIC di seconda e terza generazione di ST. I dispositivi presentano una bassa resistenza in conduzione per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione. Questi MOSFET sono in grado di operare a temperature molto elevate (TJ = 200°C) e un diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto.

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Stile di montaggio

Package/involucro

Vds - Tensione di rottura drain-source

Id - corrente di drain continua

Rds On - Drain-source sulla resistenza

Vgs - Tensione gate-source

Vgs th - Tensione di soglia gate-source

Qg - Carica del gate

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Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	Stile di montaggio	Package/involucro	Numero di canali	Vds - Tensione di rottura drain-source	Id - corrente di drain continua	Rds On - Drain-source sulla resistenza	Vgs - Tensione gate-source	Vgs th - Tensione di soglia gate-source	Qg - Carica del gate	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Pd - Dissipazione di potenza	Modalità canale	Qualifica
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: 19,57 € 11A magazzino 1.20019/02/2027 previsto Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto SCT020HU120G3AG Codice Mouser 511-SCT020HU120G3AG Nuovo prodotto	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	11A magazzino 1.20019/02/2027 previsto	Nastro continuo 19,57 € 13,44 € 12,35 € Nastrati 11,18 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: 20,47 € 570A magazzino	Produttore Codice prodotto SCT012W90G3-4AG Codice Mouser 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	570A magazzino	20,47 € 12,16 € 11,80 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 22,82 € 443A magazzino	Produttore Codice prodotto SCT015W120G3-4AG Codice Mouser 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	443A magazzino	22,82 € 14,27 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,40 € 226A magazzino 60016/07/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT020W120G3-4AG Codice Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	226A magazzino 60016/07/2027 previsto	17,40 € 10,47 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,72 € 917A magazzino	Produttore Codice prodotto SCT040H120G3AG Codice Mouser 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	917A magazzino	Nastro continuo 11,72 € 6,67 € 6,65 € Nastrati 6,29 €	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 18,15 € 45A magazzino 1.200In ordine	Produttore Codice prodotto SCT025W120G3-4AG Codice Mouser 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	45A magazzino 1.200In ordine Nelle date di spedizione dell'ordine N. produttore: SCT025W120G3-4AG A magazzino: 45 Spedizione immediata In ordine: 600 16/04/2027 previsto 600 04/06/2027 previsto Tempo di consegna da parte della fabbrica: 36 settimane	18,15 € 12,52 € 11,43 € 10,51 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: 16,30 € 40A magazzino 60007/05/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT025W120G3AG Codice Mouser 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	40A magazzino 60007/05/2027 previsto	16,30 € 10,14 € 9,51 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: 11,95 € 24A magazzino 60014/05/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT040W120G3AG Codice Mouser 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	24A magazzino 60014/05/2027 previsto	11,95 € 8,39 € 6,41 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: 17,35 € 5A magazzino 60019/02/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCTW40N120G2VAG Codice Mouser 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	5A magazzino 60019/02/2027 previsto	17,35 € 9,29 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: 23,62 € 1.20012/03/2027 previsto Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto SCT011HU75G3AG Codice Mouser 511-SCT011HU75G3AG Nuovo prodotto	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	1.20012/03/2027 previsto	Nastro continuo 23,62 € 17,75 € 16,30 € Nastrati 14,96 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: 22,19 € 1.985In ordine Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto SCT016H120G3AG Codice Mouser 511-SCT016H120G3AG Nuovo prodotto	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	1.985In ordine Nelle date di spedizione dell'ordine N. produttore: SCT016H120G3AG A magazzino: 0 In ordine: 985 19/02/2027 previsto 1.000 30/04/2027 previsto Tempo di consegna da parte della fabbrica: 25 settimane	Nastro continuo 22,19 € 15,21 € 14,81 € Nastrati 13,71 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: 15,79 € 1.99709/04/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT025H120G3AG Codice Mouser 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	1.99709/04/2027 previsto	Nastro continuo 15,79 € 9,78 € 9,73 € Nastrati 9,25 €	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: 20,06 € 99805/02/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT012H90G3AG Codice Mouser 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	99805/02/2027 previsto	Nastro continuo 20,06 € 13,07 € 13,05 € 12,27 € Nastrati 11,67 €	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: 14,18 € 1.200In ordine Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto SCT040HU120G3AG Codice Mouser 511-SCT040HU120G3AG Nuovo prodotto	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	1.200In ordine Nelle date di spedizione dell'ordine N. produttore: SCT040HU120G3AG A magazzino: 0 In ordine: 600 26/02/2027 previsto 600 05/03/2027 previsto Tempo di consegna da parte della fabbrica: 36 settimane	Nastro continuo 14,18 € 9,08 € 7,98 € Nastrati 6,79 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,75 € 600In ordine	Produttore Codice prodotto SCT040HU65G3AG Codice Mouser 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	600In ordine	Nastro continuo 11,75 € 8,95 € 7,46 € Nastrati 6,65 € 6,29 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,64 € 1.80005/02/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT055HU65G3AG Codice Mouser 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	1.80005/02/2027 previsto	Nastro continuo 11,64 € 7,52 € 6,85 € Nastrati 6,23 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 59914/12/2026 previsto	Produttore Codice prodotto SCT070HU120G3AG Codice Mouser 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Scheda dati	59914/12/2026 previsto	Nastro continuo 12,62 € 8,66 € 7,63 € Nastrati 6,88 €	Min: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: 11,54 € 100In ordine	Produttore Codice prodotto SCT040W120G3-4 Codice Mouser 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	100In ordine	11,54 € 7,60 € 6,67 € 5,68 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101

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