MOSFET di potenza in carburo di silicio automotive

I MOSFET di potenza in carburo di silicio di classe automotive sono stati sviluppati utilizzando l’innovativa e avanzata tecnologia MOSFET SIC di seconda e terza generazione di ST. I dispositivi presentano una bassa resistenza in conduzione per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione. Questi MOSFET sono in grado di operare a temperature molto elevate (TJ = 200°C) e un diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto.

Risultati: 21
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
922A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Scheda dati
274A magazzino
60009/03/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
640A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Scheda dati
739A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
513A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101

STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Scheda dati
502A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Scheda dati
1.011A magazzino
60004/01/2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
14A magazzino
2.00012/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
160A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Scheda dati
629A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
142A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Scheda dati
73A magazzino
1.20027/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Scheda dati
593A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
90A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 105 mOhms - 18 V, + 18 V 5 V 63 nC - 55 C + 200 C 290 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
60027/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
1.200In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
99622/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
1.11323/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
100In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
100In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement