Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™

I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.

Risultati: 9
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Tecnologia
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 335A magazzino
Nastro continuo
8,57 €
4,72 €
4,41 €
3,74 €
Nastrati
3,74 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800
SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 880A magazzino
Nastro continuo
6,16 €
4,04 €
2,98 €
2,64 €
2,50 €
Nastrati
2,12 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 949A magazzino
Nastro continuo
5,17 €
3,39 €
2,53 €
2,12 €
Nastrati
1,73 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 900A magazzino
Nastro continuo
4,36 €
3,11 €
2,34 €
2,25 €
Nastrati
1,62 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 987A magazzino
Nastro continuo
3,47 €
1,76 €
1,60 €
1,32 €
Nastrati
1,12 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 970A magazzino
Nastro continuo
3,09 €
2,01 €
1,41 €
Nastrati
1,41 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 521A magazzino
2.50018/11/2026 previsto
Nastro continuo
2,06 €
1,01 €
0,937 €
0,758 €
Nastrati
0,594 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500
SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
2.50012/02/2027 previsto
Nastro continuo
2,47 €
1,22 €
1,10 €
0,886 €
Nastrati
0,738 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500
SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Nastrati
4,71 €
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si