ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch UT6J
I MOSFET di potenza Pch UT6J ROHM Semiconductor presentano bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un package di stampo piccolo ad alta potenza . ROHM offre un’ampia gamma di tensioni dai prodotti per piccoli segnali ai prodotti ad alta tensione 800 V. Possono essere utilizzati per varie applicazioni come alimentatori e circuiti di azionamento motore.
Caratteristiche
- Bassa resistenza in conduzione
- Package piccolo a montaggio superficiale
- Rivestimento senza piombo; conforme a RoHS
- Privo di alogeni
Applicazioni
- A commutazione
Allineamento
Applicazioni di mercato
Resistenza ON migliorata
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione | Vds - Tensione di rottura drain-source | Id - corrente di drain continua | Rds On - Drain-source sulla resistenza |
|---|---|---|---|---|---|
| UT6K3TCR1 |  |
MOSFET DFN2020 2NCH 30V 5.5A | 30 V | 5.5 A | 42 mOhms |
| UT6J3TCR1 | |
MOSFET DFN2020 2PCH 20V 3A | 20 V | 2 A | 85 mOhms |
| UT6JB5TCR | |
MOSFET DFN2020 2PCH 40V 3.5A | 40 V | 3.5 A | 122 mOhms |
| UT6KE5TCR | |
MOSFET 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET | 100 V | 2 A | 207 mOhms |
| UT6JC5TCR | |
MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET | 60 V | 2.5 A | 280 mOhms |
Pubblicato: 2021-01-26
| Aggiornato: 2023-09-07