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ROHM Semiconductor MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

 I MOSFET a doppio canale per piccoli segnali di ROHM Semiconductor sono caratterizzati da una bassa resistenza allo stato attivo e da una commutazione rapida. Questi MOSFET sono conformi alla direttiva RoHS e includono una placcatura senza piombo. I MOSFET a doppio canale funzionano nell'intervallo di temperatura da -55°C a 150°C. Questi MOSFET sono utilizzati negli azionamenti motori e nelle applicazioni di commutazione.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Commutazione rapida
  • Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a 150 °C
  • Privo di alogeni
  • Rivestimento senza piombo
  • Conforme a RoHS
  • Testato al 100% per Rg e UIS

Applicazioni

  • A commutazione
  • Comandi di motori

Curva di depotenziamento della dissipazione di potenza

Grafico delle prestazioni - ROHM Semiconductor MOSFET a doppio canale per piccoli segnali
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Codice prodotto Scheda dati Id - corrente di drain continua Qg - Carica del gate Rds On - Drain-source sulla resistenza Tempo di salita Vds - Tensione di rottura drain-source Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Transconduttanza diretta - Min Tipico ritardo di accensione Ritardo di spegnimento tipico Polarità transistor Pd - Dissipazione di potenza
AW2K21AR AW2K21AR Scheda dati 20 A 29 nC 3 mOhms 5.9 ns 30 V - 2 V, 10 V 2 V 8.9 ns 487 ns N-Channel 1.6 W
HP8KF7HTB1 HP8KF7HTB1 Scheda dati 18.5 A 20 nC 62 mOhms 11 ns 150 V 24 V 4 V 7.1 S 19 ns 40 ns N-Channel 26 W
HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 Scheda dati 7 A 6.4 nC 214 mOhms 9.1 ns 150 V 20 V 4 V 2.5 S 11 ns 19 ns N-Channel 14 W
HT8MB5TB1 HT8MB5TB1 Scheda dati 12 A, 15 A 3.5 nC, 16.7 nC 47 mOhms, 56 mOhms 4.7 ns, 29 ns 40 V, 40 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.1 S, 6 S 5 ns, 9.6 ns 11 ns, 86 ns N-Channel, P-Channel 13 W
HT8MC5TB1 HT8MC5TB1 Scheda dati 10 A, 11.5 A 3.1 nC, 17.1 nC 90 mOhms, 109 mOhms 5 ns, 17 ns 60 V, 60 V 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 2.3 S, 5 S 5.3 ns, 9.7 ns 13 ns, 91 ns N-Channel, P-Channel 13 W
R8011KNZ4C13 R8011KNZ4C13 Scheda dati 11 A 37 nC 450 mOhms 25 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 25 ns 70 ns N-Channel 139 W
R8019KNZ4C13 R8019KNZ4C13 Scheda dati 19 A 65 nC 265 mOhms 50 ns 800 V 30 V 4.5 V 2.5 S 35 ns 110 ns N-Channel 208 W
RS6E122BGTB1 RS6E122BGTB1 Scheda dati 155 A 50 nC 2.16 mOhms 19 ns 30 V 20 V 2.5 V 55 S 31 ns 66 ns N-Channel 89 W
HT8MD5HTB1 HT8MD5HTB1 Scheda dati 9 A, 8.5 A 3.1 nC, 17.2 nC 112 mOhms, 191 mOhms 5 ns, 7 ns 80 V, 80 V 20 V, 20 V 4 V, 4 V 1.8 S, 3 S 5.8 ns, 9.4 ns 12 ns, 74 ns N-Channel, P-Channel 13 W
RD3N03BATTL1 RD3N03BATTL1 Scheda dati 30 A 50 nC 64 mOhms 15 ns 80 V 20 V 4 V 13.4 S 15 ns 225 ns P-Channel 54 W
Pubblicato: 2025-06-15 | Aggiornato: 2025-07-02