MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

 I MOSFET a doppio canale per piccoli segnali di ROHM Semiconductor sono caratterizzati da una bassa resistenza allo stato attivo e da una commutazione rapida. Questi MOSFET sono conformi alla direttiva RoHS e includono una placcatura senza piombo. I MOSFET a doppio canale funzionano nell'intervallo di temperatura da -55°C a 150°C. Questi MOSFET sono utilizzati negli azionamenti motori e nelle applicazioni di commutazione.

Risultati: 12
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET WLCSP 2NCH 30V 20A
Scheda dati
2.601A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT WLCSP-22 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 3 mOhms - 2 V, 10 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSOP8 150V DUAL 18.5A
Scheda dati
2.229A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 18.5 A 62 mOhms 24 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 150V DUAL 7.A
Scheda dati
2.400A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 150 V 7 A 214 mOhms 20 V 4 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 NPCH 40V 12A
Scheda dati
2.691A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V, 40 V 12 A, 15 A 47 mOhms, 56 mOhms 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.5 nC, 16.7 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 NPCH 60V 10A
Scheda dati
2.678A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V, 60 V 10 A, 11.5 A 90 mOhms, 109 mOhms 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.1 nC, 17.1 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 800V N CH 3.5A
Scheda dati
600A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 800V N CH 19A
Scheda dati
600A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19 A 265 mOhms 30 V 4.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET HSOP8 N-CH 30V 155A
Scheda dati
2.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 155 A 2.16 mOhms 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 NPCH 80V 3.5A
Scheda dati
2.400A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V, 80 V 9 A, 8.5 A 112 mOhms, 191 mOhms 20 V, 20 V 4 V, 4 V 3.1 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 80V 30A
Scheda dati
1.743A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 30 A 64 mOhms 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 80V 4.5A
Scheda dati
2.250A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 4.5 A 750 mOhms 20 V 4 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET SOP8 NPCH 80V 3A
Scheda dati
2.50020/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V, 80 V 3.5 A, 3 A 116 mOhms, 193 mOhms 20 V, 20 V 4 V, 4 V 3.1 nC, 17.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape