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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K

I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor presentano due MOSFET 40 V o 60 V in un piccolo package SOP8 a montaggio superficiale con otto terminali. La serie SH8K offre bassa resistenza in conduzione e RDS(on) massima di 8,4 mΩ, 12,4 mΩ o 19,4 mΩ. Altre caratteristiche sono la dissipazione di potenza 2 W e l’ID di corrente di drain ±8,5 A, ±10.5 o ±13,5 A. Questi MOSFET conformi a RoHS sono privi di alogeni e utilizzano il rivestimento senza piombo. I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor sono ideali per applicazioni di commutazione.

Caratteristiche

  • Polarità Nch+doppio Nch
  • 8 terminali
  • Bassa resistenza in conduzione
  • Package con superficie di montaggio ridotta (SOP8)
  • Ideale per applicazioni di commutazione
  • Placcatura senza piombo
  • Conforme a RoHS
  • Privi di alogeni

Specifiche

  • Tensione drain source: 40 V o 60 V (VDSS)
  • 8,4 mΩ, 12,4 mΩ o 19,4 mΩ RDS(on) massimo
  • ID di corrente di drain ±8,5 A, ±10.5 o ±13,5 A
  • Dissipazione di potenza: 2 W

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Codice prodotto Scheda dati Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Qg - Carica del gate
SH8KB7TB1 SH8KB7TB1 Scheda dati 40 V 13.5 A 8.4 mOhms 27 nC
SH8KE6TB1 SH8KE6TB1 Scheda dati 100 V 4.5 A 58 mOhms 6.7 nC
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Scheda dati 100 V 8 A 20.9 mOhms 19.8 nC
SH8KA4TB1 SH8KA4TB1 Scheda dati 30 V 9 A 21.4 mOhms 15.5 nC
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Scheda dati 40 V 8.5 A 19.4 mOhms 10.6 nC
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Scheda dati 60 V 10.5 A 12.4 mOhms 22 nC
Pubblicato: 2021-06-30 | Aggiornato: 2023-09-07