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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC a canale N SCT4018KR

Il MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor SCT4018KR è un dispositivo robusto ottimizzato per la conversione di potenza ad alta efficienza in applicazioni impegnative. Con una tensione nominale drain-source di 1.200 V e una corrente di drain continua di 81 A (+25°C), l' SCT4018KR di ROHM offre prestazioni eccellenti in ambienti ad alta tensione. Il dispositivo presenta una bassa resistenza tipica di 18 mΩ e supporta velocità di commutazione elevate, che riducono significativamente le perdite di commutazione e migliorano l'efficienza complessiva del sistema. Alloggiato in un package TO-247-4L, lo SCT4018KR è particolarmente adatto per l'uso in alimentatori industriali, inverter solari e azionamenti motori. Sfruttando i vantaggi della tecnologia SiC, il MOSFET SCT4018KR offre una conduttività termica superiore, un funzionamento ad alta temperatura e una maggiore affidabilità, rendendolo ideale per sistemi di alimentazione compatti e ad alte prestazioni.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Velocità di commutazione elevata
  • Recupero inverso rapido
  • Facile da mettere in parallelo
  • Semplice da pilotare
  • Package TO-247-4L
  • Rivestimento senza piombo
  • Conforme alla direttiva RoH

Applicazioni

  • Inverter solari
  • Convertitori CC/CC
  • Alimentatori a commutazione
  • Riscaldamento a induzione

Specifiche

  • Tensione massima drain-sorgente 1.200 V
  • Corrente massima continua di drain/source
    • 81 A a +25 °C
    • 57 A a +100 °C
  • Corrente di drain con tensione di gate pari a zero 80 μA
  • Corrente drain massima impulsiva 179 A
  • Diodo di corpo
    • Corrente diretta massima
      • 81 A impulsiva
      • 179 A picco
    • Tensione diretta tipica 3,3 V
    • Tempo di recupero inverso tipico 12 ns
    • Carica di recupero inverso 252 nC
    • Tipico corrente di picco di recupero inverso 44 A
  • Intervallo di tensione massimo CC gate-source da -4 V a 21 V
  • Intervallo massimo di tensione di sovratensione gate-source da -4 V a 23 V
  • Tensione di pilotaggio massima raccomandata tra gate e source
    • Intervallo massimo di attivazione da 15 V a 18 V
    • Spegnimento a 0 V
  • Corrente di dispersione gate-source di ±100 nA
  • Intervallo di tesione di soglia del gate da 2,8 V a 4,8 V
  • Resistenza in stato attivo drain-source
    • Massimo statico di 23,4 mΩ a +25 °C
    • 18 mΩ tipico
  • Resistenza di ingresso tipica del gate 1 Ω
  • Resistenza termica giunzione-corpo di 0,48 K/W
  • Transconduttanza 22 S
  • Capacità elettrica tipica
    • ingresso 4,532 pF
    • uscita 129 pF
    • Trasferimento inverso 9 pF
    • Uscita effettiva 156 pF, relativa all'energia
  • Gate tipica
    • totale 170nC
    • Carica source 32 nC
    • Carica drain 52 nC
  • Tempo tipico
    • Ritardo di accensione 13 ns
    • Tempo di salita 21 ns
    • Ritardo di spegnimento di 50 ns
    • Discesa 11 ns
  • Perdite di commutazione tipiche
    • Accensione 520 μJ
    • Spegnimento di 142 μJ
  • Tempo tipico di resistenza al cortocircuito 4,0 µs - 4,5 µs
  • Temperatura di giunzione virtuale massima +175 °C

Circuito interno

Diagramma - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC a canale N SCT4018KR

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Pubblicato: 2025-06-13 | Aggiornato: 2025-06-19