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SCT4018KRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KRC15
Price: 27.63 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SCT4018KRC15

N. produttore:

SCT4018KRC15

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Scheda dati:

SCT4018KRC15 Scheda dati

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	27,63 €	27,63 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	81 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	23.4 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	170 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	312 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	TH
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	22 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	MOSFET's
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	21 ns
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns
Alias n. parte:	SCT4018KR

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza SiC a canale N di 4a generazione

I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) a canale N di 4a generazione di ROHM Semiconductor offrono basse resistenze in conduzione con miglioramenti nel tempo di resistenza a cortocircuito. I MOSFET SiC di 4a generazione sono semplici da azionare e mettere in parallelo. I MOSFET sono caratterizzati da velocità di commutazione/recupero inverso elevate, basse perdite di commutazione e una temperatura operativa massima di +175 °C. I MOSFET di potenza SSiC N-Channel di quarta generazione di ROHM supportano una tensione di commutazione tra gate e source di 15 V che contribuisce al risparmio energetico del dispositivo.

MOSFET di potenza SiC a canale N SCT4018KR

Il MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor SCT4018KR è un dispositivo robusto ottimizzato per la conversione di potenza ad alta efficienza in applicazioni impegnative. Con una tensione nominale drain-source di 1.200 V e una corrente di drain continua di 81 A (+25°C), l' SCT4018KR di ROHM offre prestazioni eccellenti in ambienti ad alta tensione. Il dispositivo presenta una bassa resistenza tipica di 18 mΩ e supporta velocità di commutazione elevate, che riducono significativamente le perdite di commutazione e migliorano l'efficienza complessiva del sistema. Alloggiato in un package TO-247-4L, lo SCT4018KR è particolarmente adatto per l'uso in alimentatori industriali, inverter solari e azionamenti motori. Sfruttando i vantaggi della tecnologia SiC, il MOSFET SCT4018KR offre una conduttività termica superiore, un funzionamento ad alta temperatura e una maggiore affidabilità, rendendolo ideale per sistemi di alimentazione compatti e ad alte prestazioni.

MOSFET di potenza SiC AEC-Q101

I MOSFET di potenza SiC AEC-Q101 di ROHM Semiconductor sono ideali per alimentatori automobilistici e a commutazione. I MOSFET di potenza SiC possono essere utilizzati per aumentare la frequenza di commutazione, riducendo i volumi di condensatori, reattori e altri componenti richiesti. I MOSFET di potenza SiC AEC-Q101 offrono eccellenti riduzioni di dimensioni e peso all’interno di vari sistemi di azionamento, come inverter e convertitori CC-CC nei veicoli.