ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RY7P250BM

Il MOSFET di potenza ROHM Semiconductor RY7P250BM è progettato con un'elevata resistenza di conduzione di 1,86 mΩ (massimo) e viene fornito in un package DFN8080 ad alte prestazioni. Questo MOSFET di potenza presenta una tensione drain-source (VDSS) di 100 V, una corrente drain (ID) di ±300 A e una dissipazione di potenza (PD) di 340 W. Il MOSFET RY7P250BM offre un'ampia area di funzionamento sicura (SOA) che aiuta il MOSFET a resistere a tensioni e correnti più elevate senza danni, migliorando la robustezza e affidabilità. Il MOSFET ROHM RY7P250BM è adatto per applicazioni hot-swap controller (HSC).

Caratteristiche

Bassa resistenza di accensione 1,43 mΩ (tipica) (RDS_(on)(tipico)
Bassa resistenza di accensione (RDS_{(on) 1,86 mΩ (massima)}(massimo)
Tensione drain-source di 100 V (VDSS)
Drain current (ID) ±300 A
Dissipazione di potenza (PD) 340 W
Ampia area di funzionamento sicura (SOA)

Package ad alte prestazioni DFN8080
Rivestimento senza piombo
Conforme a RoHS
Privi di alogeni
Testato al 100% per Rg e UIS

Applicazioni

Sistemi di server AI da 48 V e circuiti di hot-swap dell'alimentazione nei data center
Sistemi di alimentazione delle apparecchiature industriali a 48 V (ad es., carrelli elevatori, utensili elettrici, robot e motori delle ventole)

Apparecchiature industriali alimentate a batteria, come i veicoli a guida automatica (AGV)
Sistemi di alimentazione UPS e di emergenza (unità di riserva della batteria)