RY7P250BMTBC

ROHM Semiconductor
755-RY7P250BMTBC
RY7P250BMTBC

Produttore:

Descrizione:
MOSFET RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN8080-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.86 mOhms
20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 200 ns
Transconduttanza diretta - Min: 27 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 90 ns
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 195 ns
Tipico ritardo di accensione: 72 ns
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza RY7P250BM

Il MOSFET di potenza ROHM Semiconductor RY7P250BM è progettato con un'elevata resistenza di conduzione di 1,86 mΩ (massimo) e viene fornito in un package DFN8080 ad alte prestazioni. Questo MOSFET di potenza presenta una tensione drain-source (VDSS) di 100 V, una corrente drain (ID) di ±300 A e una dissipazione di potenza (PD) di 340 W. Il MOSFET RY7P250BM offre un'ampia area di funzionamento sicura (SOA) che aiuta il MOSFET a resistere a tensioni e correnti più elevate senza danni, migliorando la robustezza e affidabilità. Il MOSFET ROHM RY7P250BM è adatto per applicazioni hot-swap controller (HSC).

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.